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廣州單靶磁控濺射特點(diǎn) 廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所供應(yīng)

發(fā)貨地點(diǎn):廣東省廣州市

發(fā)布時(shí)間:2024-12-21

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詳細(xì)信息

磁控濺射的種類:用磁控靶源濺射金屬和合金很容易,點(diǎn)火和濺射很方便。這是因?yàn)榘校入x子體和被濺零件/真空腔體可形成回路。但若濺射絕緣體,則回路斷了。于是人們采用高頻電源,回路中加入很強(qiáng)的電容,這樣在絕緣回路中靶材成了一個(gè)電容。但高頻磁控濺射電源昂貴,濺射速率很小,同時(shí)接地技術(shù)很復(fù)雜,因而難大規(guī)模采用。為解決此問題,發(fā)明了磁控反應(yīng)濺射。就是用金屬靶,加入氬氣和反應(yīng)氣體如氮?dú)饣蜓鯕。?dāng)金屬靶材撞向零件時(shí)由于能量轉(zhuǎn)化,與反應(yīng)氣體化合生成氮化物或氧化物。磁控反應(yīng)濺射絕緣體看似容易,而實(shí)際操作困難。主要問題是反應(yīng)不光發(fā)生在零件表面,也發(fā)生在陽*,真空腔體表面以及靶源表面,從而引起滅火,廣州單靶磁控濺射特點(diǎn),靶源和工件表面起弧等。德國(guó)萊寶發(fā)明的孿生靶源技術(shù),很好的解決了這個(gè)問題。其原理是一對(duì)靶源互相為陰陽*,廣州單靶磁控濺射特點(diǎn),從而消除陽*表面氧化或氮化。冷卻是一切源所必需,因?yàn)槟芰亢艽笠徊糠洲D(zhuǎn)為熱量,若無冷卻或冷卻不足,這種熱量將使靶源溫度達(dá)一千度以上從而溶化整個(gè)靶源,廣州單靶磁控濺射特點(diǎn)。磁控濺射發(fā)展至今,除了上述一般濺射方法的優(yōu)點(diǎn)外,還實(shí)現(xiàn)了高速、低溫、低損傷。廣州單靶磁控濺射特點(diǎn)

廣州單靶磁控濺射特點(diǎn),磁控濺射

非平衡磁控濺射的磁場(chǎng)有邊緣強(qiáng),也有中部強(qiáng),導(dǎo)致濺射靶表面磁場(chǎng)的“非平衡”。磁控濺射靶的非平衡磁場(chǎng)不只有通過改變內(nèi)外磁體的大小和強(qiáng)度的永磁體獲得,也有由兩組電磁線圈產(chǎn)生,或采用電磁線圈與永磁體混合結(jié)構(gòu),還有在陰*和基體之間增加附加的螺線管,用來改變陰*和基體之間的磁場(chǎng),并以它來控制沉積過程中離子和原子的比例。非平衡磁控濺射系統(tǒng)有兩種結(jié)構(gòu),一種是其芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度比外環(huán)高,磁力線沒有閉合,被引向真空室壁,基體表面的等離子體密度低,因此該方式很少被采用。另一種是外環(huán)磁場(chǎng)強(qiáng)度高于芯部磁場(chǎng)強(qiáng)度,磁力線沒有完全形成閉合回路,部分外環(huán)的磁力線延伸到基體表面,使得部分二次電子能夠沿著磁力線逃逸出靶材表面區(qū)域,同時(shí)再與中性粒子發(fā)生碰撞電離,等離子體不再被完全限制在靶材表面區(qū)域,而是能夠到達(dá)基體表面,進(jìn)一步增加鍍膜區(qū)域的離子濃度,使襯底離子束流密度提高,通?蛇_(dá)5mA/cm2以上。這樣濺射源同時(shí)又是轟擊基體表面的離子源,基體離子束流密度與靶材電流密度成正比,靶材電流密度提高,沉積速率提高,同時(shí)基體離子束流密度提高,對(duì)沉積膜層表面起到一定的轟擊作用。廣州直流磁控濺射儀器真空室中裝有輝光放電的陰*,靶材就裝在此*表面上,接受離子轟擊。

廣州單靶磁控濺射特點(diǎn),磁控濺射

高速率磁控濺射的一個(gè)固有的性質(zhì)是產(chǎn)生大量的濺射粒子而獲得高的薄膜沉積速率。高的沉積速率意味著高的粒子流飛向基片,導(dǎo)致沉積過程中大量粒子的能量被轉(zhuǎn)移到生長(zhǎng)薄膜上,引起沉積溫度明顯增加。由于濺射離子的能量大約70%需要從陰*冷卻水中帶走,薄膜的較大濺射速率將受到濺射靶冷卻的限制。冷卻不但靠足夠的冷卻水循環(huán),還要求良好的靶材導(dǎo)熱率及較薄膜的靶厚度。同時(shí)高速率磁控濺射中典型的靶材利用率只有20%~30%,因而提高靶材利用率也是有待于解決的一個(gè)問題。

磁控濺射的工藝研究:1、系統(tǒng)參數(shù):工藝會(huì)受到很多參數(shù)的影響。其中,一些是可以在工藝運(yùn)行期間改變和控制的;而另外一些則雖然是固定的,但是一般在工藝運(yùn)行前可以在一定范圍內(nèi)進(jìn)行控制。兩個(gè)重要的固定參數(shù)是:靶結(jié)構(gòu)和磁場(chǎng)。2、靶結(jié)構(gòu):每個(gè)單獨(dú)的靶都具有其自身的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和顆粒方向。由于內(nèi)部結(jié)構(gòu)的不同,兩個(gè)看起來完全相同的靶材可能會(huì)出現(xiàn)迥然不同的濺射速率。在鍍膜操作中,如果采用了新的或不同的靶,應(yīng)當(dāng)特別注意這一點(diǎn)。如果所有的靶材塊在加工期間具有相似的結(jié)構(gòu),調(diào)節(jié)電源,根據(jù)需要提高或降低功率可以對(duì)它進(jìn)行補(bǔ)償。在一套靶中,由于顆粒結(jié)構(gòu)不同,也會(huì)產(chǎn)生不同的濺射速率。這也需要在鍍膜期間加以注意。不過,這種情況只有通過更換靶材才能得到解決,這時(shí)候?yàn)榱说玫絻?yōu)良的膜層,必須重新調(diào)整功率或傳動(dòng)速度。因?yàn)樗俣葘?duì)于產(chǎn)品是至關(guān)重要的,所以標(biāo)準(zhǔn)而且適當(dāng)?shù)恼{(diào)整方法是提高功率。磁控濺射在靶材表面建立與電場(chǎng)正交磁場(chǎng),解決了二*濺射沉積速率低,等離子體離化率低等問題。

廣州單靶磁控濺射特點(diǎn),磁控濺射

脈沖磁控濺射的工作原理:脈沖磁控濺射是采用矩形波電壓的脈沖電源代替?zhèn)鹘y(tǒng)直流電源進(jìn)行磁控濺射沉積。脈沖濺射可以有效地抑制電弧產(chǎn)生進(jìn)而消除由此產(chǎn)生的薄膜缺陷,同時(shí)可以提高濺射沉積速率,降低沉積溫度等一系列明顯的優(yōu)點(diǎn),是濺射絕緣材料沉積的優(yōu)先選擇工藝過程。在一個(gè)周期內(nèi)存在正電壓和負(fù)電壓兩個(gè)階段,在負(fù)電壓段,電源工作于靶材的濺射,正電壓段,引入電子中和靶面累積的正電荷,并使表面清潔,裸露出金屬表面。加在靶材上的脈沖電壓與一般磁控濺射相同!為400~500V,電源頻率在10~350KHz,在保證穩(wěn)定放電的前提下,應(yīng)盡可能取較低的頻率#由于等離子體中的電子相對(duì)離子具有更高的能動(dòng)性,因此正電壓值只需要是負(fù)電壓的10%~20%,就可以有效中和靶表面累積的正電荷。占空比的選擇在保證濺射時(shí)靶表面累積的電荷能在正電壓階段被完全中和的前提下,盡可能提高占空,以實(shí)現(xiàn)電源的較大效率。磁控濺射成為鍍膜工業(yè)主要方法之一。廣州脈沖磁控濺射步驟

磁控濺射設(shè)備的主要用途:各種功能性薄膜:如具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用的薄膜。廣州單靶磁控濺射特點(diǎn)

脈沖磁控濺射的分類:(1)單向脈沖:?jiǎn)蜗蛎}沖正電壓段的電壓為零!濺射發(fā)生在負(fù)電壓段。由于零電壓段靶表面電荷中和效果不明顯。(2)、雙向脈沖:雙向脈沖在一個(gè)周期內(nèi)存在正電壓和負(fù)電壓兩個(gè)階段,在負(fù)電壓段,電源工作于靶材的濺射,正電壓段,引入電子中和靶面累積的正電荷,并使表面清潔,裸露出金屬表面。雙向脈沖更多地用于雙靶閉合式非平衡磁控濺射系統(tǒng),系統(tǒng)中的兩個(gè)磁控靶連接在同一脈沖電源上,兩個(gè)靶交替充當(dāng)陰*和陽*。陰*靶在濺射的同時(shí),陽*靶完成表面清潔,如此周期性地變換磁控靶*性,就產(chǎn)生了“自清潔”效應(yīng)。廣州單靶磁控濺射特點(diǎn)

廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所是一家集研發(fā)、制造、銷售為一體的高新技術(shù)企業(yè),公司位于長(zhǎng)興路363號(hào),成立于2016-04-07。公司秉承著技術(shù)研發(fā)、客戶優(yōu)先的原則,為國(guó)內(nèi){主營(yíng)產(chǎn)品或行業(yè)}的產(chǎn)品發(fā)展添磚加瓦。芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工目前推出了微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)等多款產(chǎn)品,已經(jīng)和行業(yè)內(nèi)多家企業(yè)建立合作伙伴關(guān)系,目前產(chǎn)品已經(jīng)應(yīng)用于多個(gè)領(lǐng)域。我們堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新,把握市場(chǎng)關(guān)鍵需求,以重心技術(shù)能力,助力電子元器件發(fā)展。我們以客戶的需求為基礎(chǔ),在產(chǎn)品設(shè)計(jì)和研發(fā)上面苦下功夫,一份份的不懈努力和付出,打造了芯辰實(shí)驗(yàn)室,微納加工產(chǎn)品。我們從用戶角度,對(duì)每一款產(chǎn)品進(jìn)行多方面分析,對(duì)每一款產(chǎn)品都精心設(shè)計(jì)、精心制作和嚴(yán)格檢驗(yàn)。廣東省科學(xué)院半導(dǎo)體研究所嚴(yán)格規(guī)范微納加工技術(shù)服務(wù),真空鍍膜技術(shù)服務(wù),紫外光刻技術(shù)服務(wù),材料刻蝕技術(shù)服務(wù)產(chǎn)品管理流程,確保公司產(chǎn)品質(zhì)量的可控可靠。公司擁有銷售/售后服務(wù)團(tuán)隊(duì),分工明細(xì),服務(wù)貼心,為廣大用戶提供滿意的服務(wù)。

 

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