細(xì)胞培養(yǎng)芯片需根據(jù)不同細(xì)胞類型設(shè)計(jì)表面微結(jié)構(gòu)，傳統(tǒng)光刻依賴掩模庫(kù)，難以滿足個(gè)性化需求。Polos 光刻機(jī)支持 STL 模型直接導(dǎo)入，某干細(xì)胞研究所在 24 小時(shí)內(nèi)完成了神經(jīng)干細(xì)胞三維培養(yǎng)支架的定制加工。其制造的微柱陣列間距可精確控制在 5-50μm，適配不同分化階段的細(xì)胞黏附需求。實(shí)驗(yàn)顯示，使用該支架的神經(jīng)細(xì)胞軸突生長(zhǎng)速度提升 30%，為神經(jīng)再生機(jī)制研究提供了高效工具，相關(guān)技術(shù)已授權(quán)給生物芯片企業(yè)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。無(wú)掩模技術(shù)優(yōu)勢(shì)：摒棄傳統(tǒng)掩模，圖案實(shí)時(shí)調(diào)整，研發(fā)成本降低 70%，小批量生產(chǎn)經(jīng)濟(jì)性突出。陜西光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

上海有機(jī)化學(xué)研究所通過(guò)光刻技術(shù)制備多組分納米纖維，實(shí)現(xiàn)了功能材料的精確組裝。類似地，Polos系列設(shè)備可支持此類結(jié)構(gòu)的可控加工，為新能源器件（如柔性電池）和智能材料提供技術(shù)基礎(chǔ)3。設(shè)備的高重復(fù)性（0.1 m）確保了科研成果的可轉(zhuǎn)化性。掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級(jí)圖案化，無(wú)需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對(duì)于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒(méi)有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢(shì)。北京PSP光刻機(jī)分辨率1.5微米多材料兼容：金屬 / 聚合物 / 陶瓷同步加工，微流控芯片集成傳感器一步成型。

針對(duì)碳化硅（SiC）功率模塊的柵極刻蝕難題，Polos 光刻機(jī)的激光直寫技術(shù)實(shí)現(xiàn)了 20nm 的邊緣粗糙度控制，較傳統(tǒng)光刻膠工藝提升 5 倍。某新能源汽車芯片廠商利用該設(shè)備，將 SiC MOSFET 的導(dǎo)通電阻降低 15%，開(kāi)關(guān)損耗減少 20%，推動(dòng)車載逆變器效率突破 99%。其靈活的圖案編輯功能支持快速驗(yàn)證新型柵極結(jié)構(gòu)，使器件研發(fā)周期從 12 周壓縮至 4 周，助力我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)彎道超車。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。

一家專注于再生醫(yī)學(xué)的科研公司在組織工程支架的研究上，使用德國(guó) Polos 光刻機(jī)取得remarkable成果。組織工程支架需要具備特定的三維結(jié)構(gòu)，以促進(jìn)細(xì)胞的生長(zhǎng)和組織的修復(fù)。Polos 光刻機(jī)能夠根據(jù)預(yù)先設(shè)計(jì)的三維模型，在生物可降解材料上精確制造出復(fù)雜的孔隙結(jié)構(gòu)和表面圖案。通過(guò)該光刻機(jī)制造的支架，在動(dòng)物實(shí)驗(yàn)中表現(xiàn)出優(yōu)異的細(xì)胞黏附和組織生長(zhǎng)引導(dǎo)能力。與傳統(tǒng)制造方法相比，使用 Polos 光刻機(jī)生產(chǎn)的支架，細(xì)胞在其上的增殖速度提高了 50%，為組織工程和再生醫(yī)學(xué)的臨床應(yīng)用提供了有力支持。掩模制備時(shí)間歸零，科研人員耗時(shí)減少 60%，項(xiàng)目交付周期縮短 50%。

柔性電子是未來(lái)可穿戴設(shè)備的core方向，其電路圖案需適應(yīng)曲面基底。Polos 光刻機(jī)的無(wú)掩模技術(shù)在聚酰亞胺柔性基板上實(shí)現(xiàn)了 2μm 線寬的precise曝光，解決了傳統(tǒng)掩模對(duì)準(zhǔn)偏差問(wèn)題。某柔性電子研究中心利用該設(shè)備，開(kāi)發(fā)出可貼合皮膚的健康監(jiān)測(cè)貼片，其傳感器陣列的信號(hào)噪聲比提升 60%。相比光刻膠掩模工藝，Polos 光刻機(jī)將打樣時(shí)間從 72 小時(shí)壓縮至 8 小時(shí)，加速了柔性電路的迭代優(yōu)化，推動(dòng)柔性電子從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)業(yè)化落地。無(wú)掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個(gè)新加坡研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)無(wú)縫集成硬件和軟件組件，開(kāi)發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟(jì)高效的 MLL 系統(tǒng)。通過(guò)與計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)軟件無(wú)縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實(shí)驗(yàn)室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機(jī)械系統(tǒng)等各個(gè)領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟(jì)高效性使其優(yōu)勢(shì)擴(kuò)展到大學(xué)研究實(shí)驗(yàn)室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機(jī)會(huì)。光學(xué)超材料突破：光子晶體結(jié)構(gòu)precise制造，賦能超透鏡與隱身技術(shù)研究。重慶德國(guó)BEAM光刻機(jī)基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

固態(tài)電池：鋰金屬界面阻抗降至 50Ωcm，電池循環(huán)壽命提升 3 倍。陜西光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化

某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時(shí)，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國(guó) Polos 光刻機(jī)成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無(wú)掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過(guò) Polos 光刻機(jī)處理后，對(duì)特定波長(zhǎng)光的吸收率提高了 30%，為開(kāi)發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計(jì)思路 。陜西光刻機(jī)讓你隨意進(jìn)行納米圖案化