某材料科學(xué)研究中心在探索新型納米復(fù)合材料的性能時，需要在材料表面構(gòu)建特殊的納米圖案。德國 Polos 光刻機成為實現(xiàn)這一目標(biāo)的得力工具。研究人員利用其無掩模激光光刻技術(shù)，在不同的納米材料表面制作出各種周期性和非周期性的圖案結(jié)構(gòu)。經(jīng)過測試發(fā)現(xiàn)，帶有特定圖案的納米復(fù)合材料，其電學(xué)、光學(xué)和力學(xué)性能發(fā)生了remarkable改變。例如，一種原本光學(xué)性能普通的納米材料，在經(jīng)過 Polos 光刻機處理后，對特定波長光的吸收率提高了 30%，為開發(fā)新型光電器件和光學(xué)傳感器提供了新的材料選擇和設(shè)計思路 。生物界面創(chuàng)新：微納結(jié)構(gòu)可控加工，為組織工程提供新型仿生材料解決方案。遼寧光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

在科研領(lǐng)域，設(shè)備的先進(jìn)程度往往決定了研究的深度與廣度。德國的 Polos - BESM、Polos - BESM XL、SPS 光刻機 POLOS 帶來了革新之光。它們運用無掩模激光光刻技術(shù)，摒棄了傳統(tǒng)光刻中昂貴且制作周期長的掩模，極大降低了成本。這些光刻機可輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光，在微流體、電子學(xué)和納 / 微機械系統(tǒng)等領(lǐng)域大顯身手。例如在微流體研究中，能precise制造復(fù)雜的微通道網(wǎng)絡(luò)，助力藥物傳輸、細(xì)胞培養(yǎng)等研究。在電子學(xué)方面，可實現(xiàn)高精度的電路圖案曝光，為芯片研發(fā)提供有力支持。其占用空間小，對于空間有限的研究實驗室來說堪稱完美。憑借出色特性，它們已助力眾多科研團隊取得成果，成為科研創(chuàng)新的得力助手 。廣東BEAM-XL光刻機電子學(xué)應(yīng)用：2μm 線寬光刻能力，第三代半導(dǎo)體器件研發(fā)效率提升 3 倍。

Polos光刻機在微機械加工中表現(xiàn)outstanding。其亞微米分辨率可制造80 m直徑的開環(huán)諧振器和2 m叉指電極，適用于傳感器與執(zhí)行器開發(fā)。結(jié)合雙光子聚合技術(shù)（如Nanoscribe系統(tǒng)），用戶還能擴展至3D微納結(jié)構(gòu)打印，為微型機器人及光學(xué)元件提供多尺度制造方案。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。

Polos光刻機與弗勞恩霍夫ILT的光束整形技術(shù)結(jié)合，可定制激光輪廓以優(yōu)化能量分布，減少材料蒸發(fā)和飛濺，提升金屬3D打印效率7。這種跨領(lǐng)域技術(shù)融合為工業(yè)級微納制造（如光學(xué)元件封裝）提供新思路，推動智能制造向高精度、低能耗方向發(fā)展Polos系列broad兼容AZ、SU-8等光刻膠，通過優(yōu)化曝光參數(shù)（如能量密度與聚焦深度）實現(xiàn)不同材料的高質(zhì)量加工。例如，使用AZ5214E時，可調(diào)節(jié)光束強度以減少側(cè)壁粗糙度，提升微結(jié)構(gòu)的功能性。這一特性使其在生物相容性器件（如仿生傳感器）中表現(xiàn)outstanding26�？臻g友好設(shè)計：占地面積小于 1.2㎡，小型實驗室也能部署高精度光刻系統(tǒng)。

Polos-BESM在電子器件原型開發(fā)中展現(xiàn)高效性。例如，其軟件支持GDS文件直接導(dǎo)入，多層曝光疊加功能簡化了射頻器件（如IDC電容器）的制造流程。研究團隊利用同類設(shè)備成功制備了高頻電路元件，驗證了其在5G通信和物聯(lián)網(wǎng)硬件中的潛力。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。無掩模光刻技術(shù)可以隨意進(jìn)行納米級圖案化，無需使用速度慢且昂貴的光罩。這種便利對于科研和快速原型制作非常有用。POL0S@ Beam XL在性能上沒有任何妥協(xié)的情況下，將該技術(shù)帶到了桌面上，進(jìn)一步提升了其優(yōu)勢。Polos-BESM XL：130mm×130mm 曝光幅面，STL 模型直接導(dǎo)入，微流控芯片制備周期縮短 40%。黑龍江德國POLOS桌面無掩模光刻機MAX基材尺寸4英寸到6英寸

掩模制備時間歸零，科研人員耗時減少 60%，項目交付周期縮短 50%。遼寧光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米

某生物力學(xué)實驗室通過 Polos 光刻機，在單一芯片上集成了壓阻式和電容式細(xì)胞力傳感器。其多材料曝光技術(shù)在 20μm 的懸臂梁上同時制備金屬電極與硅基壓阻元件，傳感器的力分辨率達(dá) 5pN，位移檢測精度達(dá) 1nm。在心肌細(xì)胞收縮力檢測中，該集成傳感器實現(xiàn)了力 - 電信號的同步采集，發(fā)現(xiàn)收縮力峰值與動作電位時程的相關(guān)性達(dá) 0.92，為心臟電機械耦合機制研究提供了全新工具，相關(guān)論文發(fā)表于《Biophysical Journal》。無掩模激光光刻 (MLL) 是一種微加工技術(shù)，用于在基板上以高精度和高分辨率創(chuàng)建復(fù)雜圖案。一個新加坡研究團隊通過無縫集成硬件和軟件組件，開發(fā)出一款緊湊且經(jīng)濟高效的 MLL 系統(tǒng)。通過與計算機輔助設(shè)計軟件無縫集成，操作員可以輕松輸入任意圖案進(jìn)行曝光。該系統(tǒng)占用空間小，非常適合研究實驗室，并broad應(yīng)用于微流體、電子學(xué)和納/微機械系統(tǒng)等各個領(lǐng)域。該系統(tǒng)的經(jīng)濟高效性使其優(yōu)勢擴展到大學(xué)研究實驗室以外的領(lǐng)域，為半導(dǎo)體和醫(yī)療公司提供了利用其功能的機會。遼寧光刻機基材厚度可達(dá)到0.1毫米至8毫米