中清航科開放6條全自動切割產(chǎn)線，支持從8英寸化合物半導(dǎo)體到12英寸邏輯晶圓的來料加工。云端訂單系統(tǒng)實(shí)時追蹤進(jìn)度，平均交貨周期48小時，良率承諾99.2%。先進(jìn)封裝RDL層切割易引發(fā)銅箔撕裂。中清航科應(yīng)用超快飛秒激光（脈寬400fs）配合氦氣保護(hù)，在銅-硅界面形成納米級熔融區(qū)，剝離強(qiáng)度提升5倍。中清航科搭建全球較早切割工藝共享平臺，收錄3000+材料參數(shù)組合?？蛻糨斎刖A類型/厚度/目標(biāo)良率，自動生成比較好參數(shù)包，工藝開發(fā)周期縮短90%。

通過拉曼光譜掃描切割道，中清航科提供殘余應(yīng)力分布云圖（分辨率5μm），并推薦退火工藝參數(shù)。幫助客戶將芯片翹曲風(fēng)險降低70%，服務(wù)已用于10家頭部IDM企業(yè)。中清航科技術(shù)結(jié)合機(jī)械切割速度與激光切割精度：對硬質(zhì)區(qū)采用刀切，對脆弱區(qū)域切換激光加工。動態(tài)切換時間<0.1秒，兼容復(fù)雜芯片結(jié)構(gòu)，加工成本降低28%。舊設(shè)備切割精度不足？中清航科提供主軸/視覺/控制系統(tǒng)三大模塊升級包。更換高剛性主軸（跳動<0.5μm）+12MP智能相機(jī)，精度從±10μm提升至±2μm，改造成本只為新機(jī)30%。泰州碳化硅陶瓷晶圓切割企業(yè)切割粉塵在線監(jiān)測中清航科傳感器精度達(dá)0.01μm顆粒物檢測。

中清航科創(chuàng)新性推出“激光預(yù)劃+機(jī)械精切”復(fù)合方案：先以激光在晶圓表面形成引導(dǎo)槽，再用超薄刀片完成切割。此工藝結(jié)合激光精度與刀切效率，解決化合物半導(dǎo)體（如GaAs、SiC）的脆性開裂問題，加工成本較純激光方案降低35%。大尺寸晶圓切割面臨翹曲變形、應(yīng)力集中等痛點(diǎn)。中清航科全自動切割機(jī)配備多軸聯(lián)動補(bǔ)償系統(tǒng)，通過實(shí)時監(jiān)測晶圓形變動態(tài)調(diào)整切割參數(shù)。搭配吸附托盤，將12英寸晶圓平整度誤差控制在±2μm內(nèi)，支持3D NAND多層堆疊結(jié)構(gòu)加工。

半導(dǎo)體制造對潔凈度要求嚴(yán)苛，晶圓切割環(huán)節(jié)的微塵污染可能導(dǎo)致芯片失效。中清航科的切割設(shè)備采用全封閉防塵結(jié)構(gòu)與高效 HEPA 過濾系統(tǒng)，工作區(qū)域潔凈度達(dá)到 Class 1 標(biāo)準(zhǔn)，同時配備激光誘導(dǎo)等離子體除塵裝置，實(shí)時清理切割產(chǎn)生的微米級顆粒，使產(chǎn)品不良率降低至 0.1% 以下。在成本控制成為半導(dǎo)體企業(yè)核心競爭力的現(xiàn)在，中清航科通過技術(shù)創(chuàng)新實(shí)現(xiàn)切割耗材的大幅節(jié)約。其自主研發(fā)的金剛石切割刀片，使用壽命較行業(yè)平均水平延長 50%，且通過刀片磨損實(shí)時監(jiān)測與自動補(bǔ)償技術(shù)，減少頻繁更換帶來的停機(jī)損失，幫助客戶降低 20% 的耗材成本，在激烈的市場競爭中構(gòu)筑成本優(yōu)勢。晶圓切割培訓(xùn)課程中清航科每月開放，已認(rèn)證工程師超800名。

隨著半導(dǎo)體市場需求的快速變化，產(chǎn)品迭代周期不斷縮短，這對晶圓切割的快速響應(yīng)能力提出更高要求。中清航科建立了快速工藝開發(fā)團(tuán)隊，承諾在收到客戶新樣品后 72 小時內(nèi)完成切割工藝驗(yàn)證，并提供工藝報告與樣品測試數(shù)據(jù)，幫助客戶加速新產(chǎn)品研發(fā)進(jìn)程，搶占市場先機(jī)。晶圓切割設(shè)備的操作安全性至關(guān)重要，中清航科嚴(yán)格遵循 SEMI S2 安全標(biāo)準(zhǔn)，在設(shè)備設(shè)計中融入多重安全保護(hù)機(jī)制。包括激光安全聯(lián)鎖、急停按鈕、防護(hù)門檢測、過載保護(hù)等，同時配備安全警示系統(tǒng)，實(shí)時顯示設(shè)備運(yùn)行狀態(tài)與潛在風(fēng)險，確保操作人員的人身安全與設(shè)備的安全運(yùn)行。切割路徑智能優(yōu)化系統(tǒng)中清航科研發(fā)，復(fù)雜芯片布局切割時間縮短35%。浙江12英寸半導(dǎo)體晶圓切割

針對柔性晶圓，中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。臺州sic晶圓切割測試

晶圓切割是半導(dǎo)體封裝的中心環(huán)節(jié)，傳統(tǒng)刀片切割通過金剛石砂輪實(shí)現(xiàn)材料分離。中清航科研發(fā)的超薄刀片（厚度15-20μm）結(jié)合主動冷卻系統(tǒng)，將切割道寬度壓縮至30μm以內(nèi)，崩邊控制在5μm以下。我們的高剛性主軸技術(shù)可適配8/12英寸晶圓，切割速度提升40%，為LED、MEMS器件提供經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。針對超薄晶圓（<50μm）易碎裂難題，中清航科激光隱形切割系統(tǒng)采用紅外脈沖激光在晶圓內(nèi)部形成改性層，通過擴(kuò)張膜實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力分離。該技術(shù)消除機(jī)械切割導(dǎo)致的微裂紋，良率提升至99.3%，尤其適用于存儲芯片、CIS等器件，助力客戶降低材料損耗成本。臺州sic晶圓切割測試