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舟山晶圓切割刀片

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-30

中清航科飛秒激光雙光子聚合技術(shù):在PDMS基板上直寫三維微流道(最小寬度15μm),切割精度達(dá)±0.25μm,替代傳統(tǒng)光刻工藝,開發(fā)成本降低80%。中清航科推出“切割即服務(wù)”(DaaS):客戶按實(shí)際切割面積付費(fèi)($0.35/英寸),包含設(shè)備/耗材/維護(hù)全包。初始投入降低90%,產(chǎn)能彈性伸縮±50%,適配訂單波動(dòng)。中清航科共聚焦激光測(cè)距系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)切割深度(分辨率0.1μm),閉環(huán)控制切入量。將150μm晶圓切割深度誤差壓縮至±2μm,背面研磨時(shí)間減少40%。


中清航科多軸聯(lián)動(dòng)切割頭,適應(yīng)曲面晶圓±15°傾角加工。舟山晶圓切割刀片

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隨著 Chiplet 技術(shù)的興起,晶圓切割需要更高的位置精度以保證后續(xù)的異構(gòu)集成。中清航科開發(fā)的納米級(jí)定位切割系統(tǒng),采用氣浮導(dǎo)軌與光柵尺閉環(huán)控制,定位精度達(dá)到 ±0.1μm,配合雙頻激光干涉儀進(jìn)行實(shí)時(shí)校準(zhǔn),確保切割道位置與設(shè)計(jì)圖紙的偏差不超過 0.5μm,為 Chiplet 的高精度互聯(lián)奠定基礎(chǔ)。中清航科深諳半導(dǎo)體設(shè)備的定制化需求,可為客戶提供從工藝驗(yàn)證到設(shè)備交付的全流程服務(wù)。其技術(shù)團(tuán)隊(duì)會(huì)深入了解客戶的晶圓規(guī)格、材料特性與產(chǎn)能要求,定制專屬切割方案,如針對(duì)特殊異形 Die 的切割路徑優(yōu)化、大尺寸晶圓的分片切割策略等,已成功為多家頭部半導(dǎo)體企業(yè)完成定制化項(xiàng)目交付。舟山芯片晶圓切割代工廠切割刀痕深度控制中清航科技術(shù)達(dá)±0.2μm,減少后續(xù)研磨量。

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在半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化替代的浪潮中,中清航科始終堅(jiān)持自主創(chuàng)新,中心技術(shù) 100% 自主可控。其晶圓切割設(shè)備的關(guān)鍵部件如激光發(fā)生器、精密導(dǎo)軌、控制系統(tǒng)等均實(shí)現(xiàn)國產(chǎn)化量產(chǎn),不僅擺脫對(duì)進(jìn)口部件的依賴,還將設(shè)備交付周期縮短至 8 周以內(nèi),較進(jìn)口設(shè)備縮短 50%,為客戶搶占市場(chǎng)先機(jī)提供有力支持。展望未來,隨著 3nm 及更先進(jìn)制程的突破,晶圓切割將面臨更小尺寸、更高精度的挑戰(zhàn)。中清航科已啟動(dòng)下一代原子級(jí)精度切割技術(shù)的研發(fā),計(jì)劃通過量子點(diǎn)標(biāo)記與納米操控技術(shù),實(shí)現(xiàn) 10nm 以下的切割精度,同時(shí)布局晶圓 - 封裝一體化工藝,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的持續(xù)發(fā)展提供前瞻性的技術(shù)解決方案,與全球客戶共同邁向更微觀的制造領(lǐng)域。

面對(duì)高溫高濕等惡劣生產(chǎn)環(huán)境,中清航科對(duì)晶圓切割設(shè)備進(jìn)行了特殊環(huán)境適應(yīng)性改造。設(shè)備電氣系統(tǒng)采用三防設(shè)計(jì)(防潮濕、防霉菌、防鹽霧),機(jī)械結(jié)構(gòu)采用耐腐蝕材料,可在溫度 30-40℃、濕度 60-85% 的環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行,特別適用于熱帶地區(qū)半導(dǎo)體工廠及特殊工業(yè)場(chǎng)景。晶圓切割的刀具損耗是影響成本的重要因素,中清航科開發(fā)的刀具壽命預(yù)測(cè)系統(tǒng),通過振動(dòng)傳感器與 AI 算法實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)刀具磨損狀態(tài),提前 2 小時(shí)預(yù)警刀具更換需求,并自動(dòng)推送比較好的更換時(shí)間窗口,避免因刀具突然失效導(dǎo)致的產(chǎn)品報(bào)廢,使刀具消耗成本降低 25%。中清航科推出切割機(jī)租賃服務(wù),降低客戶初期投入成本。

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在晶圓切割設(shè)備的自動(dòng)化升級(jí)浪潮中,中清航科走在行業(yè)前列。其新推出的智能切割單元,可與前端光刻設(shè)備、后端封裝設(shè)備實(shí)現(xiàn)無縫對(duì)接,通過 SECS/GEM 協(xié)議完成數(shù)據(jù)交互,實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體生產(chǎn)全流程的自動(dòng)化閉環(huán)。該單元還具備自我診斷功能,能提前預(yù)警潛在故障,將非計(jì)劃停機(jī)時(shí)間減少 60%,為大規(guī)模生產(chǎn)提供堅(jiān)實(shí)保障。對(duì)于小尺寸晶圓的切割,傳統(tǒng)設(shè)備往往面臨定位難、效率低的問題。中清航科專門設(shè)計(jì)了針對(duì) 2-6 英寸小晶圓的切割工作站,采用多工位旋轉(zhuǎn)工作臺(tái),可同時(shí)處理 8 片小晶圓,切割效率較單工位設(shè)備提升 4 倍。配合特制的彈性吸盤,能有效避免小晶圓吸附時(shí)的損傷,特別適合 MEMS 傳感器、射頻芯片等小批量高精度產(chǎn)品的生產(chǎn)。針對(duì)柔性晶圓,中清航科開發(fā)低溫切割工藝避免材料變性。杭州sic晶圓切割企業(yè)

晶圓切割后分選設(shè)備中清航科集成方案,效率達(dá)6000片/小時(shí)。舟山晶圓切割刀片

中清航科ESG解決方案:設(shè)備內(nèi)置能源管理模塊,智能調(diào)節(jié)激光功率與主軸轉(zhuǎn)速,單次切割能耗降低42%。碳追蹤平臺(tái)每8小時(shí)生成減排報(bào)告,助力客戶達(dá)成碳中和目標(biāo),已獲全球25家代工廠采購認(rèn)證。功率器件背面金層在切割中易翹曲。中清航科開發(fā)脈沖電流輔助切割,在刀片-晶圓界面施加微電流(<10mA),瞬時(shí)加熱至150℃軟化金層,剝離風(fēng)險(xiǎn)下降90%,剪切強(qiáng)度保持>45MPa。中清航科推出粉塵組分診斷系統(tǒng):通過LIBS(激光誘導(dǎo)擊穿光譜)在線分析顆粒元素構(gòu)成,自動(dòng)推薦冷卻液配方調(diào)整方案。幫助客戶減少因金屬污染導(dǎo)致的芯片失效,良率提升1.2%。舟山晶圓切割刀片

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