機(jī)房建設(shè)工程注意事項
關(guān)于我國數(shù)據(jù)中心的工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)情況
數(shù)據(jù)中心IDC機(jī)房建設(shè)工程
機(jī)房建設(shè)都有哪些內(nèi)容?
機(jī)房建設(shè)應(yīng)掌握哪些知識點(diǎn)?
機(jī)房建設(shè)的要求是什么?
機(jī)房建設(shè)公司所說的A類機(jī)房和B類機(jī)房建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)差別
數(shù)據(jù)中心機(jī)房建設(shè)需要考慮什么問題?
了解這四點(diǎn)從容對待數(shù)據(jù)中心跨機(jī)房建設(shè)!
全屏蔽弱電數(shù)據(jù)機(jī)房建設(shè)方案
介紹04:54新型DUV光刻機(jī)公布,套刻精度達(dá)8納米!與全球前列設(shè)備差多少?直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng) (DSW) 超大規(guī)模集成電路需要有高分辨率、高套刻精度和大直徑晶片加工。直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)是為適應(yīng)這些相互制約的要求而發(fā)展起來的光學(xué)曝光系統(tǒng)。主要技術(shù)特點(diǎn)是:①采用像面分割原理,以覆蓋比較大芯片面積的單次曝光區(qū)作為**小成像單元,從而為獲得高分辨率的光學(xué)系統(tǒng)創(chuàng)造條件。②采用精密的定位控制技術(shù)和自動對準(zhǔn)技術(shù)進(jìn)行重復(fù)曝光,以組合方式實(shí)現(xiàn)大面積圖像傳遞,從而滿足晶片直徑不斷增大的實(shí)際要求。無掩模激光直寫系統(tǒng)利用激光直接在基材上成像,適用于柔性電子器件制造等領(lǐng)域 [5]。常州耐用光刻系統(tǒng)多少錢
主要流程光復(fù)印工藝的主要流程如圖2:曝光方式常用的曝光方式分類如下:接觸式曝光和非接觸式曝光的區(qū)別,在于曝光時掩模與晶片間相對關(guān)系是貼緊還是分開。接觸式曝光具有分辨率高、復(fù)印面積大、復(fù)印精度好、曝光設(shè)備簡單、操作方便和生產(chǎn)效率高等特點(diǎn)。但容易損傷和沾污掩模版和晶片上的感光膠涂層,影響成品率和掩模版壽命,對準(zhǔn)精度的提高也受到較多的限制。一般認(rèn)為,接觸式曝光只適于分立元件和中、小規(guī)模集成電路的生產(chǎn)。非接觸式曝光主要指投影曝光。在投影曝光系統(tǒng)中,掩膜圖形經(jīng)光學(xué)系統(tǒng)成像在感光層上,掩模與晶片上的感光膠層不接觸,不會引起損傷和沾污,成品率較高,對準(zhǔn)精度也高,能滿足高集成度器件和電路生產(chǎn)的要求。但投影曝光設(shè)備復(fù)雜,技術(shù)難度高,因而不適于低檔產(chǎn)品的生產(chǎn)?,F(xiàn)代應(yīng)用**廣的是 1:1倍的全反射掃描曝光系統(tǒng)和x:1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。 [2]常州耐用光刻系統(tǒng)多少錢邊緣的光刻膠一般涂布不均勻,不能得到很好的圖形,而且容易發(fā)生剝離(Peeling)而影響其它部分的圖形。
b、接近式曝光(Proximity Printing)。掩膜板與光刻膠層的略微分開,大約為10~50μm。可以避免與光刻膠直接接觸而引起的掩膜板損傷。但是同時引入了衍射效應(yīng),降低了分辨率。1970后適用,但是其最大分辨率*為2~4μm。c、投影式曝光(Projection Printing)。在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實(shí)現(xiàn)曝光。一般掩膜板的尺寸會以需要轉(zhuǎn)移圖形的4倍制作。優(yōu)點(diǎn):提高了分辨率;掩膜板的制作更加容易;掩膜板上的缺陷影響減小。投影式曝光分類:
英特爾高級研究員兼技術(shù)和制造部先進(jìn)光刻技術(shù)總監(jiān)YanBorodovsky在去年說過“針對未來的IC設(shè)計,我認(rèn)為正確的方向是具有互補(bǔ)性的光刻技術(shù)。193納米光刻是當(dāng)前能力**強(qiáng)且**成熟的技術(shù),能夠滿足精確度和成本要求,但缺點(diǎn)是分辨率低。利用一種新技術(shù)作為193納米光刻的補(bǔ)充,可能是在成本、性能以及精確度方面的比較好解決方案。補(bǔ)充技術(shù)可以是EUV或電子束光刻?!?[3]現(xiàn)階段很多公司也在推動納米壓印、無掩膜光刻或一種被稱為自組裝的新興技術(shù)。但是EUV光刻仍然被認(rèn)為是下一代CPU的比較好工藝。b、除去水蒸氣,使基底表面由親水性變?yōu)樵魉?,增?qiáng)表面的黏附性六甲基二硅胺烷)。
**普通的正膠顯影液是四甲基氫氧化銨(TMAH)(標(biāo)準(zhǔn)當(dāng)量濃度為0.26,溫度15~25C)。在I線光刻膠曝光中會生成羧酸,TMAH顯影液中的堿與酸中和使曝光的光刻膠溶解于顯影液,而未曝光的光刻膠沒有影響;在化學(xué)放大光刻膠(CAR,Chemical Amplified Resist)中包含的酚醛樹脂以PHS形式存在。CAR中的PAG產(chǎn)生的酸會去除PHS中的保護(hù)基團(tuán)(t-BOC),從而使PHS快速溶解于TMAH顯影液中。整個顯影過程中,TMAH沒有同PHS發(fā)生反應(yīng)。b、負(fù)性光刻膠的顯影液。二甲苯。清洗液為乙酸丁脂或乙醇、三氯乙烯。光刻膠涂覆后,在硅片邊緣的正反兩面都會有光刻膠的堆積。江蘇比較好的光刻系統(tǒng)批量定制
光刻膠厚度控片(PhotoResist Thickness MC):光刻膠厚度測量;常州耐用光刻系統(tǒng)多少錢
光刻機(jī)系統(tǒng)是材料科學(xué)領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備,通過光學(xué)成像原理將掩模版上的微細(xì)圖形精確轉(zhuǎn)移到光刻膠表面。系統(tǒng)配置1Kw近紫外光源與6V/30W顯微鏡燈適配器,配備氣動防震臺保障精密操作環(huán)境,其技術(shù)參數(shù)截至2020年11月24日仍在使用 [1]。通過光化學(xué)反應(yīng)將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移至光刻膠上 [1]。系統(tǒng)采用光敏材料與精確曝光技術(shù)結(jié)合的方式完成圖形復(fù)制。(截至2020年11月24日更新數(shù)據(jù))1.光源系統(tǒng)輸出功率:1千瓦級近紫外光(NUV)配套適配器:6V直流供電,額定功率30W2.穩(wěn)定裝置常州耐用光刻系統(tǒng)多少錢
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