鎖相熱成像系統(tǒng)憑借電激勵(lì)在電子產(chǎn)業(yè)的芯片封裝檢測(cè)中表現(xiàn)出的性能，成為芯片制造過(guò)程中不可或缺的質(zhì)量控制手段。芯片封裝是保護(hù)芯片、實(shí)現(xiàn)電氣連接的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，在封裝過(guò)程中，可能會(huì)出現(xiàn)焊球空洞、引線鍵合不良、封裝體開(kāi)裂等多種缺陷。這些缺陷會(huì)嚴(yán)重影響芯片的散熱性能和電氣連接可靠性，導(dǎo)致芯片在工作過(guò)程中因過(guò)熱而失效。通過(guò)對(duì)芯片施加特定的電激勵(lì)，使芯片內(nèi)部產(chǎn)生熱量，缺陷處由于熱傳導(dǎo)受阻，會(huì)形成局部高溫區(qū)域。鎖相熱成像系統(tǒng)能夠?qū)崟r(shí)捕捉芯片表面的溫度場(chǎng)分布，并通過(guò)分析溫度場(chǎng)的相位和振幅變化，生成清晰的缺陷圖像，精確顯示出缺陷的位置、大小和形態(tài)。例如，在檢測(cè) BGA 封裝芯片時(shí)，系統(tǒng)能準(zhǔn)確識(shí)別出焊球中的空洞，即使空洞體積占焊球體積的 5%，也能被定位。這一技術(shù)的應(yīng)用，幫助芯片制造企業(yè)及時(shí)發(fā)現(xiàn)封裝過(guò)程中的問(wèn)題，有效降低了產(chǎn)品的不良率，提升了芯片產(chǎn)品的質(zhì)量。電激勵(lì)的波形選擇（正弦波、方波等）會(huì)影響熱信號(hào)的特征，鎖相熱成像系統(tǒng)需針對(duì)不同波形優(yōu)化處理算法。實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價(jià)比

熱紅外顯微鏡（Thermal EMMI) 也是科研與教學(xué)領(lǐng)域的利器，其設(shè)備能捕捉微觀世界的熱信號(hào)。它將紅外探測(cè)與顯微技術(shù)結(jié)合，呈現(xiàn)物體表面溫度分布，分辨率達(dá)微米級(jí)，可觀察半導(dǎo)體芯片熱點(diǎn)、電子器件熱分布等。非接觸式測(cè)量是其一大優(yōu)勢(shì)，無(wú)需與被測(cè)物體直接接觸，避免了對(duì)樣品的干擾，適用于多種類(lèi)型的樣品檢測(cè)。實(shí)時(shí)成像功能可追蹤動(dòng)態(tài)熱變化，如材料相變、化學(xué)反應(yīng)熱釋放。在高校，熱紅外顯微鏡助力多學(xué)科實(shí)驗(yàn)；在企業(yè)，為產(chǎn)品研發(fā)和質(zhì)量檢測(cè)提供支持，推動(dòng)各領(lǐng)域創(chuàng)新突破。半導(dǎo)體鎖相紅外熱成像系統(tǒng)按需定制電激勵(lì)與鎖相熱成像系統(tǒng)，電子檢測(cè)黃金組合。

ThermalEMMI（熱紅外顯微鏡）是一種先進(jìn)的非破壞性檢測(cè)技術(shù)，主要用于精細(xì)定位電子設(shè)備中的熱點(diǎn)區(qū)域，這些區(qū)域通常與潛在的故障、缺陷或性能問(wèn)題密切相關(guān)。該技術(shù)可在不破壞被測(cè)對(duì)象的前提下，捕捉電子元件在工作狀態(tài)下釋放的熱輻射與光信號(hào)，為工程師提供關(guān)鍵的故障診斷線索和性能分析依據(jù)。在諸如復(fù)雜集成電路、高性能半導(dǎo)體器件以及精密印制電路板（PCB）等電子組件中，ThermalEMMI能夠快速識(shí)別出異常發(fā)熱或發(fā)光的區(qū)域，幫助工程師迅速定位問(wèn)題根源，從而及時(shí)采取有效的維修或優(yōu)化措施。

鎖相熱成像系統(tǒng)在發(fā)展過(guò)程中也面臨著一些技術(shù)難點(diǎn)，其中如何優(yōu)化熱激勵(lì)方式與信號(hào)處理算法是問(wèn)題。熱激勵(lì)方式的合理性直接影響檢測(cè)的靈敏度和準(zhǔn)確性，不同的被測(cè)物體需要不同的激勵(lì)參數(shù)；而信號(hào)處理算法則決定了能否從復(fù)雜的信號(hào)中有效提取出有用信息。為此，研究人員不斷進(jìn)行探索和創(chuàng)新，通過(guò)改進(jìn)光源調(diào)制頻率，使其更適應(yīng)不同檢測(cè)場(chǎng)景，開(kāi)發(fā)多頻融合算法，提高信號(hào)處理的效率和精度等方式，持續(xù)提升系統(tǒng)的檢測(cè)速度與缺陷識(shí)別精度。未來(lái)，隨著新型材料的研發(fā)和傳感器技術(shù)的不斷進(jìn)步，鎖相熱成像系統(tǒng)的性能將進(jìn)一步提升，其應(yīng)用領(lǐng)域也將得到的拓展，為更多行業(yè)帶來(lái)技術(shù)革新。
鎖相熱成像系統(tǒng)讓電激勵(lì)檢測(cè)更具實(shí)用價(jià)值。

在實(shí)際應(yīng)用中，這款設(shè)備已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的 “故障診斷利器”。在晶圓制造環(huán)節(jié)，它能通過(guò)熱分布成像識(shí)別光刻缺陷導(dǎo)致的局部漏電；在芯片封裝階段，可定位引線鍵合不良引發(fā)的接觸電阻過(guò)熱；針對(duì) IGBT 等功率器件，能捕捉高頻開(kāi)關(guān)下的瞬態(tài)熱行為，提前預(yù)警潛在失效風(fēng)險(xiǎn)。某半導(dǎo)體企業(yè)在檢測(cè)一批失效芯片時(shí)，傳統(tǒng)熱成像設(shè)備能看到模糊的發(fā)熱區(qū)域，而使用致晟光電的一體化設(shè)備后，通過(guò)鎖相技術(shù)發(fā)現(xiàn)發(fā)熱區(qū)域內(nèi)存在一個(gè) 2μm 的微小熱點(diǎn)，終定位為芯片內(nèi)部的金屬離子遷移缺陷 —— 這類(lèi)缺陷若未及時(shí)發(fā)現(xiàn)，可能導(dǎo)致產(chǎn)品在長(zhǎng)期使用中突然失效。鎖相熱成像系統(tǒng)借電激勵(lì)，捕捉細(xì)微溫度變化辨故障。顯微紅外成像鎖相紅外熱成像系統(tǒng)功能

電激勵(lì)模塊是通過(guò)源表向被測(cè)物體施加周期性方波電信號(hào)，通過(guò)焦耳效應(yīng)使物體產(chǎn)生周期性的溫度波動(dòng)。實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價(jià)比

在產(chǎn)品全壽命周期中，失效分析以解決失效問(wèn)題、確定根本原因?yàn)槟繕?biāo)。通過(guò)對(duì)失效模式開(kāi)展綜合性試驗(yàn)分析，它能定位失效部位，厘清失效機(jī)理——無(wú)論是材料劣化、結(jié)構(gòu)缺陷還是工藝瑕疵引發(fā)的問(wèn)題，都能被系統(tǒng)拆解。在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步提出針對(duì)性糾正措施，從源頭阻斷失效的重復(fù)發(fā)生。作為貫穿產(chǎn)品質(zhì)量控制全流程的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，失效分析的價(jià)值體現(xiàn)在對(duì)全鏈條潛在風(fēng)險(xiǎn)的追溯與排查：在設(shè)計(jì)（含選型）階段，可通過(guò)模擬失效驗(yàn)證方案合理性；制造環(huán)節(jié)，能鎖定工藝偏差導(dǎo)致的批量隱患；使用過(guò)程中，可解析環(huán)境因素對(duì)性能衰減的影響；質(zhì)量管理層面，則為標(biāo)準(zhǔn)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支撐。實(shí)時(shí)瞬態(tài)鎖相分析系統(tǒng)鎖相紅外熱成像系統(tǒng)性價(jià)比