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直銷微光顯微鏡批量定制

來源: 發(fā)布時間:2025-07-25

致晟光電 RTTLIT E20 微光顯微分析系統(tǒng)(EMMI)是一款專為半導(dǎo)體器件漏電缺陷檢測量身打造的高精度檢測設(shè)備。該系統(tǒng)搭載先進(jìn)的 - 80℃制冷型 InGaAs 探測器與高分辨率顯微物鏡,憑借超高檢測靈敏度,可捕捉器件在微弱漏電流信號下產(chǎn)生的極微弱微光。通過超高靈敏度成像技術(shù),設(shè)備能快速定位漏電缺陷并開展深度分析,為工程師優(yōu)化生產(chǎn)工藝、提升產(chǎn)品可靠性提供關(guān)鍵支持,進(jìn)而為半導(dǎo)體器件的質(zhì)量控制與失效分析環(huán)節(jié)提供安全可靠的解決方案。針對氮化鎵等寬禁帶半導(dǎo)體,它能適應(yīng)其寬波長探測需求,助力寬禁帶器件的研發(fā)與應(yīng)用。直銷微光顯微鏡批量定制

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半導(dǎo)體材料分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體,而Si是典型的直接帶隙半導(dǎo)體,其禁帶寬度為1.12eV。所以當(dāng)電子與空穴復(fù)合時,電子會彈射出一個光子,該光子的能量為1.12eV,根據(jù)波粒二象性原理,該光子的波長為1100nm,屬于紅外光區(qū)。通俗的講就是當(dāng)載流子進(jìn)行復(fù)合的時候就會產(chǎn)生1100nm的紅外光。這也就是產(chǎn)生亮點的原因之一:載流子復(fù)合。所以正偏二極管的PN結(jié)處能看到亮點。如果MOS管產(chǎn)生latch-up現(xiàn)象,(體寄生三極管導(dǎo)通)也會觀察到在襯底處產(chǎn)生熒光亮點。非制冷微光顯微鏡微光顯微鏡分析 3D 封裝器件光子,結(jié)合光學(xué)原理和算法可預(yù)估失效點深度,為失效分析和修復(fù)提供參考。

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微光顯微鏡下可以產(chǎn)生亮點的缺陷,

如:1.漏電結(jié)(JunctionLeakage);2.接觸毛刺(Contactspiking);3.熱電子效應(yīng)(Hotelectrons);4.閂鎖效應(yīng)(Latch-Up);5.氧化層漏電(Gateoxidedefects/Leakage(F-Ncurrent));6.多晶硅晶須(Poly-siliconfilaments);7.襯底損傷(Substratedamage);8.物理損傷(Mechanicaldamage)等。

當(dāng)然,部分情況下也會出現(xiàn)樣品本身的亮點,

如:1.Saturated/Activebipolartransistors;2.SaturatedMOS/DynamicCMOS;3.Forwardbiaseddiodes/Reverse;

出現(xiàn)亮點時應(yīng)注意區(qū)分是否為這些情況下產(chǎn)生的亮點另外也會出現(xiàn)偵測不到亮點的情況,

如:1.歐姆接觸;2.金屬互聯(lián)短路;3.表面反型層;4.硅導(dǎo)電通路等。

一些亮點被遮蔽的情況,即為BuriedJunctions及Leakagesitesundermetal,這種情況可以嘗試采用backside模式,但是只能探測近紅外波段的發(fā)光,且需要減薄及拋光處理。

光束誘導(dǎo)電阻變化(OBIRCH)功能與微光顯微鏡(EMMI)技術(shù)常被集成于同一檢測系統(tǒng),合稱為光發(fā)射顯微鏡(PEM,PhotoEmissionMicroscope)。


二者在原理與應(yīng)用上形成巧妙互補,能夠協(xié)同應(yīng)對集成電路中絕大多數(shù)失效模式,大幅提升失效分析的全面性與效率。OBIRCH技術(shù)的獨特優(yōu)勢在于,即便失效點被金屬層覆蓋形成“熱點”,其仍能通過光束照射引發(fā)的電阻變化特性實現(xiàn)精細(xì)檢測——這恰好彌補了EMMI在金屬遮擋區(qū)域光信號捕捉受限的不足。


處理 ESD 閉鎖效應(yīng)時,微光顯微鏡檢測光子可判斷其位置和程度,為研究機制、制定防護(hù)措施提供支持。

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同時,我們誠摯歡迎各位客戶蒞臨蘇州實驗室進(jìn)行深入交流。在這里,我們的專業(yè)技術(shù)團(tuán)隊將為您詳細(xì)演示微光顯微鏡、熱紅外顯微鏡的全套操作流程,從基礎(chǔ)功能到高級應(yīng)用,一一講解其中的技術(shù)原理與操作技巧。針對您在設(shè)備選型、使用場景、技術(shù)參數(shù)等方面的疑問,我們也會給予細(xì)致入微的解答,讓您對失效分析領(lǐng)域掌握設(shè)備優(yōu)勢與適用范圍。

這種面對面的深度溝通,旨在讓合作過程更加透明,讓您對我們的產(chǎn)品與服務(wù)更有信心,合作也更顯安心。 我司微光顯微鏡探測芯片封裝打線及內(nèi)部線路短路產(chǎn)生的光子,快速定位短路位置,優(yōu)勢獨特。實時成像微光顯微鏡原理

針對接面漏電,我司微光顯微鏡能偵測其光子定位位置,利于篩選不良品,為改進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝提供數(shù)據(jù)。直銷微光顯微鏡批量定制


對半導(dǎo)體研發(fā)工程師而言,排查的過程層層受阻。在逐一排除外圍電路異常、生產(chǎn)工藝制程損傷等潛在因素后,若仍未找到癥結(jié),往往需要芯片原廠介入,通過剖片分析深入探究內(nèi)核。

然而,受限于專業(yè)分析設(shè)備的缺乏,再加上芯片內(nèi)部設(shè)計涉及機密,工程師難以深入了解其底層構(gòu)造,這就導(dǎo)致他們在面對原廠出具的分析報告時,常常陷入 “被動接受” 的局面 —— 既無法完全驗證報告的細(xì)節(jié),也難以基于自身判斷提出更具針對性的疑問或補充分析方向。 直銷微光顯微鏡批量定制