曝光后烘烤是化學放大膠工藝中很關鍵，也是反應機理很復雜的一道工序。后烘過程中，化學放大膠內存在多種反應機制，情況復雜并相互影響。例如各反應基團的擴散，蒸發(fā)將導致抗蝕刑的組成分布梯度變化：基質樹脂中的去保護基團會引起膠膜體積增加但當烘烤溫度達到光刻膠的玻璃化溫度時基質樹脂又并始變得稠密兩者同時又都會影響膠膜中酸的擴散，且影響作用相反。這眾多的反應機制都將影響到曝光圖形，因此烘烤的溫度、時間和曝光與烘烤之間停留的時間間隔都是影響曝光圖形線寬的重要因素。高效光刻解決方案對于降低成本至關重要。貴州接觸式光刻

厚膠光學光刻具有工藝相對簡單、與現(xiàn)有IC工藝流程兼容性好、制作成本低等優(yōu)點，是用來制作大深度微光學、微機械、微流道結構元件的一種很重要的方法和手段，具有廣闊的應用前景，因而是微納加工技術研究中十分活躍的領域。厚膠光刻是一個多參量的動態(tài)變化過程，多種非線性畸變因素的存在，使得對其理論和實驗的研究，與薄膠相比要復雜得多。厚層光刻膠顯影后抗蝕劑浮雕輪廓不僅可以傳遞圖形，而且可以直接作為工作部件、微機械器件封裝材料等。例如SU—8光刻膠具有良好的力學特性，可直接作為微齒輪、微活塞等部件的工作材料。隨著厚膠光學光刻技術的成熟和完善，該技術不僅可以制作大深度、大深寬比臺階型微結構元件，而且可以制作大深度連續(xù)面形微結構元件。貴州接觸式光刻光刻技術不斷迭代，以滿足高性能計算需求。

對于透明基片的雙面光刻加工，其準標記可靈活設計，沿目鏡的光軸上方的圖案區(qū)域如果是不透光的，該區(qū)域的對準標記可以簡單設計成透光十字或透光方框作為對準標記。如果目鏡光軸上方掩模板圖案區(qū)域是透光的，該區(qū)域設計的對準標記可以設計成十字型或方框。不管是十字型還是方框型，都是參照內部的邊和角進行精確對準。綜合考慮到物距不一成像大小不同的因素，兩塊掩模板的對準標記也可以設計成大小不一的，以掩模板和基片標記成像方便觀測對準為原則。雙面光刻調制盤作為光路一部分用于約束光束，加工完成后，要用不透明的涂料涂覆標記圖案及搜索線即可，即便沒有搜索線，由于小方框對準標記是透光的，也不免要用涂料涂覆，涂料對于測量狹縫和機械裝配公差配合沒有影響。

濕法腐蝕是利用腐蝕液和基片之間的化學反應。采用這種方法，雖然各向異性刻蝕并非不可能，但比各向同性刻蝕要困難得多。溶液和材料的組合有很多限制，必須嚴格控制基板溫度、溶液濃度、添加量等條件。無論條件調整得多么精細，濕法蝕刻都難以實現(xiàn)1μm以下的精細加工。其原因之一是需要控制側面蝕刻。側蝕是一種也稱為底切的現(xiàn)象。即使希望通過濕式蝕刻在垂直方向（深度方向）溶解材料，也不可能完全防止溶液腐蝕側面，因此材料在平行方向的溶解將不可避免地進行。由于這種現(xiàn)象，濕蝕刻隨機產(chǎn)生比目標寬度窄的部分。這樣，在加工需要精密電流控制的產(chǎn)品時，再現(xiàn)性低，精度不可靠。邊緣效應管理是光刻工藝中的一大挑戰(zhàn)。

在曝光這一步中，將使用特定波長的光對覆蓋襯底的光刻膠進行選擇性地照射。光刻膠中的感光劑會發(fā)生光化學反應，從而使正光刻膠被照射區(qū)域（感光區(qū)域）、負光刻膠未被照射的區(qū)域（非感光區(qū)）化學成分發(fā)生變化。這些化學成分發(fā)生變化的區(qū)域，在下一步的能夠溶解于特定的顯影液中。在接受光照后，正性光刻膠中的感光劑DQ會發(fā)生光化學反應，變?yōu)橐蚁┩?，并進一步水解為茚并羧酸，羧酸在堿性溶劑中的溶解度比未感光部分的光刻膠高出約100倍，產(chǎn)生的羧酸同時還會促進酚醛樹脂的溶解。利用感光與未感光光刻膠對堿性溶劑的不同溶解度，就可以進行掩膜圖形的轉移。曝光方法包括：接觸式曝光—掩膜板直接與光刻膠層接觸；接近式曝光—掩膜板與光刻膠層的略微分開，大約為10～50μm；投影式曝光—在掩膜板與光刻膠之間使用透鏡聚集光實現(xiàn)曝光和步進式曝光。光刻圖案的復雜性隨著制程的進步而不斷增加。硅片光刻價錢

光刻主要利用的是光刻膠中光敏分子的單光子吸收效應所誘導的光化學反應。貴州接觸式光刻

光刻膠是光刻過程中的關鍵材料之一。它能夠在曝光過程中發(fā)生化學反應，從而將掩模上的圖案轉移到硅片上。光刻膠的性能對光刻圖形的精度有著重要影響。首先，光刻膠的厚度必須均勻，否則會導致光刻圖形的形變或失真。其次，光刻膠的旋涂均勻性也是影響圖形精度的重要因素之一。旋涂不均勻會導致光刻膠表面形成氣泡或裂紋，從而影響對準精度。為了優(yōu)化光刻膠的性能，需要選擇合適的光刻膠類型、旋涂參數(shù)和曝光條件。同時，還需要對光刻膠進行嚴格的測試和選擇，確保其性能符合工藝要求。貴州接觸式光刻