深圳市盟科電子科技有限公司2025-07-22

可控硅容易損壞的原因主要有以下幾方面。首先是過電壓，包括操作過電壓和浪涌過電壓，比如電路開關(guān)操作時(shí)產(chǎn)生的瞬態(tài)電壓、雷擊引入的浪涌電壓等，超過可控硅的反向耐壓或正向轉(zhuǎn)折電壓時(shí)，會導(dǎo)致?lián)舸p壞。其次是過電流，當(dāng)電路中的電流超過可控硅的額定電流且未及時(shí)切斷時(shí)，會使芯片溫度急劇升高，造成 PN 結(jié)燒毀。再者，散熱不良也是重要原因，可控硅導(dǎo)通時(shí)會產(chǎn)生功耗，若散熱裝置設(shè)計(jì)不合理，如散熱器面積過小、風(fēng)扇故障等，會導(dǎo)致結(jié)溫過高，縮短壽命甚至損壞。另外，觸發(fā)電路異常也可能導(dǎo)致?lián)p壞，比如觸發(fā)電壓過高、觸發(fā)脈沖過寬或過窄，會使可控硅誤導(dǎo)通或無法正常導(dǎo)通，引發(fā)電路故障。還有，可控硅的反向恢復(fù)時(shí)間不匹配電路要求，在高頻電路中可能因反向電流過大而損壞，以及長期使用后性能老化、參數(shù)漂移，也會增加損壞的概率。?

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