自發(fā)輻射量子隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片利用原子或分子的自發(fā)輻射過(guò)程來(lái)生成隨機(jī)數(shù)。當(dāng)原子或分子處于激發(fā)態(tài)時(shí)，會(huì)自發(fā)地向低能態(tài)躍遷，并輻射出光子。這個(gè)自發(fā)...
光磁存儲(chǔ)是一種結(jié)合了光學(xué)和磁學(xué)原理的新型存儲(chǔ)技術(shù)。其原理是利用激光束照射磁性材料，通過(guò)改變材料的磁化狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入和讀取。在寫入數(shù)據(jù)時(shí)...
離散型量子物理噪聲源芯片利用量子比特的離散態(tài)來(lái)產(chǎn)生隨機(jī)噪聲。量子比特可以處于0、1以及疊加態(tài)，通過(guò)對(duì)量子比特進(jìn)行測(cè)量，會(huì)得到離散的隨機(jī)結(jié)果。...
高溫硅電容在特殊環(huán)境下具有卓著的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)。在一些高溫工業(yè)領(lǐng)域，如航空航天、汽車發(fā)動(dòng)機(jī)控制等，普通電容由于無(wú)法承受高溫環(huán)境而容易失效，而高溫硅...
蘇州凌存科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱凌存科技）成立于2021年12月，坐落于美麗的陽(yáng)澄湖畔。公司是基于電壓控制磁性技術(shù)開(kāi)發(fā)不同品類產(chǎn)品的高科技初創(chuàng)公司，并在該領(lǐng)域處于先進(jìn)的地位。凌存科技取得技術(shù)原始、核心專利授權(quán)20項(xiàng)，涵蓋材料、器件、工藝與電路等全套技術(shù)。此外，公司已申請(qǐng)國(guó)家發(fā)明專利15項(xiàng)。目前，凌存科技已經(jīng)完成涵蓋8英寸和12英寸多種技術(shù)節(jié)點(diǎn)的流片，性能指標(biāo)處于先進(jìn)地位。 公司擁有一支國(guó)際化團(tuán)隊(duì)，成員來(lái)自中國(guó)大陸，美國(guó)，中國(guó)臺(tái)灣，日本等地。公司研發(fā)人員占比超70%。凌存科技將助力我國(guó)突破“卡脖子”技術(shù)，旨在開(kāi)發(fā)出世界上高速度、高容量、低成本和低功耗的第三代磁存儲(chǔ)芯片---電壓控制磁存儲(chǔ)器(MeRAM)芯片，磁性真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器芯片。
