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SiC MOSFET的Qrr對PFC效率的影響是什么？

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深圳市芯技科技有限公司2025-06-29

二極管損耗：Qrr引反向恢復(fù)損耗Prr∝Qrr×V×f，芯技SiC體二極管Qrr<0.1μC（Si基>1μC） EMI噪聲：Qrr致di/dt>100A/μs，芯技低Qrr設(shè)計(jì)使di/dt<30A/μs 死區(qū)優(yōu)化：tdead>trr，芯技器件trr<100ns支持死區(qū)縮至50ns（η↑0.8%）

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簡介：深圳市芯技科技有限公司專注于保護(hù)器件、MOSFET和二三極管等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子等多個(gè)領(lǐng)域。
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