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來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2025-07-15

四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式可控硅四種觸發(fā)方式由于在雙向可控硅的主電極上,無(wú)論加以正向電壓或是反向電壓,也不管觸發(fā)信號(hào)是正向還是反向,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通,因此它有以下四種觸發(fā)方式:(1)當(dāng)主電極T2對(duì)Tl所加的電壓為正向電壓,控制極G對(duì)***電極Tl所加的也是正向觸發(fā)信號(hào)(圖5a)。雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,電流I2l的方向從T2流向T1。由特性曲線(xiàn)可知,這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是按***象限的特性進(jìn)行的,又因?yàn)橛|發(fā)信號(hào)是正向的,所以把這種觸發(fā)叫做“***象限的正向觸發(fā)”或稱(chēng)為I+觸發(fā)方式。 [3](2)如果主電極T2仍加正向電壓,而把觸發(fā)信號(hào)改為反向信號(hào)(圖5b),這時(shí)雙向可控硅觸發(fā)導(dǎo)通后,通態(tài)電流的方向仍然是從T2到T1??煽毓璋雌浞庋b形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型。閔行區(qū)好的可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)

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這在高溫下尤為嚴(yán)重,在這種情況下可以在MT1和MT2間加一個(gè)RC緩沖電路來(lái)限制VD/DT,或可采用高速可控硅(晶閘管)。5、關(guān)于連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM在電源不正常的情況下,可控硅(晶閘管)兩端的電壓會(huì)超過(guò)連續(xù)峰值開(kāi)路電壓VDRM的最大值,此時(shí)可控硅(晶閘管)的漏電流增大并擊穿導(dǎo)通。如果負(fù)載能允許很大的浪涌電流,那么硅片上局部的電流密度就很高,使這一小部分先導(dǎo)通。導(dǎo)致芯片燒毀或損壞。另外白熾燈,容性負(fù)載或短路保護(hù)電路會(huì)產(chǎn)生較高的浪涌電流,這時(shí)可外加濾波器和鉗位電路來(lái)防止尖峰(毛刺)電壓加到雙向可控硅(晶閘管)上 [2]。普陀區(qū)推廣可控硅現(xiàn)價(jià)可控硅承受的正向電壓峰值,不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。

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應(yīng)用類(lèi)型雙向可控硅的特性曲線(xiàn)圖4示出了雙向可控硅的特性曲線(xiàn)。由圖可見(jiàn),雙向可控硅的特性曲線(xiàn)是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線(xiàn)組合成的。***象限的曲線(xiàn)說(shuō)明當(dāng)加到主電極上的電壓使Tc對(duì)T1的極性為正時(shí),我們稱(chēng)為正向電壓,并用符號(hào)U21表示。當(dāng)這個(gè)電壓逐漸增加到等于轉(zhuǎn)折電壓UBO時(shí),圖3(b)左邊的可控硅就觸發(fā)導(dǎo)通,這時(shí)的通態(tài)電流為I21,方向是從T2流向Tl。從圖中可以看到,觸發(fā)電流越大,轉(zhuǎn)折電壓就越低,這種情形和普通可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通規(guī)律是一致的, 當(dāng)加到主電極上的電壓使Tl對(duì)T2的極性為正時(shí),叫做反向電壓,并用符號(hào)U12表示。當(dāng)這個(gè)電壓達(dá)到轉(zhuǎn)折電壓值時(shí),圖3(b)觸發(fā)導(dǎo)通,這時(shí)的電流為I12,其方向是從T1到T2。這時(shí)雙向可控硅的特性曲線(xiàn),如圖4中第三象限所示。

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路,或陽(yáng)極與控制極短路,或控制極與陰極反向短路,或控制極與陰極斷路,說(shuō)明元件已損壞。可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。實(shí)際上,可控硅的功用不僅是整流,它還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電,等等。可控硅和其它半導(dǎo)體器件一樣,其有體積小、效率高、穩(wěn)定性好、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,成為工業(yè)、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸、***科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。

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“雙向可控硅”:是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的,它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意。雙向可控硅為什么稱(chēng)為“TRIAC”?三端:TRIode(取**個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān):ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”三端雙向可控硅中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱(chēng)。雙 向:Bi-directional(取***個(gè)字母)按引腳和極性分類(lèi):可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。靜安區(qū)通用可控硅售價(jià)

如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。閔行區(qū)好的可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)

⒊ 控制極觸發(fā)電流(IGT),俗稱(chēng)觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。4,在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下,允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值。常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220ABC、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252、SOT-23、SOT23-3L等普通晶閘管**基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路。如果把二極管換成晶閘管,就可以構(gòu)成可控整流電路。以**簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,在正弦交流電壓U2的正半周期間,如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug,VS仍然不能導(dǎo)通,只有在U2處于正半周,在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。閔行區(qū)好的可控硅銷(xiāo)售廠(chǎng)

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